
onsemi EliteSiC MOSFET 采用节省空间的设计,提供闪电般的快速开关和超静音功率。EliteSiC 运行平稳,保持信号清洁和环境安静,同时提供惊人的速度和无与伦比的可靠性。
低导通电阻和小占板面积缩小了电容和栅极电荷,从而在小型封装中提供了强大的功能。EliteSiC 充分利用每一滴电力,最大限度地提高效率并减少运营成本和能源浪费。
特性
通过 AEC-Q101 标准鉴定
额定电压:650 V 至 1,700 V
高速开关
低电容
100%_通过 UIL 测试
符合 RoHS 规范
应用
高功率 DC/DC 应用
逆变器