onsemi NVH4L EliteSiC MOSFET 采用革命性技术，重新定义功率，消除缓慢的开关和不稳定的可靠性。这些 MOSFET 凭借其超低导通电阻和最小的占位面积而缩小了电容和栅极电荷。它们提供高效、安静的系统，并采用节省空间的设计降低 EMI，最大限度地减少对环境的影响。
特性
符合 AEC-Q101 汽车标准要求
M3S 技术
设备无铅且符合 RoHS 标准
应用
板载充电器 (OBC)
EV/HEV 用 DC/DC转换器
NVH4L020N120SC1 MOSFET
摘要
onsemi 的 EliteSiC MOSFET 采用节省空间的设计，可大幅提升性能
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