Tagore 的 TP44200NM 是 GaN FET 和驱动器的单片集成。180 mΩ、650 V GaN HEMT 器件具有集成驱动器电路。驱动器的单片集成最大限度地减少了栅极环路中的电感，即使在高压、高频操作中也能实现安全、干净的开关，从而使应用更加高效和可靠，并减小磁性组件的尺寸。UVLO 功能会关闭 HEMT，以防 VDD 电压降至其阈值电压以下。即使在没有 VDD 电源的情况下，专有的 dv/dt 保护电路也能保护 HEMT 免受漏源 dv/dt 引起的误导通。VREG 和 RG 之间的外部电阻可以控制漏极电压转换速率，以获得最佳 EMI 性能。
特性
UVLO 保护
零反向恢复损耗
有或没有驱动器电源时的 dv/dt 抗扰度
低传播延迟，运行频率高达 2 MHz
导热垫 (LV) 与源隔离，即使使用检测电阻也能实现更好的热连接
可调节的接通压摆率
5V 脉宽调制输入
应用
AC/DC、DC/DC 和 DC/AC 转换器
LED 和电机驱动器
服务器电源
高频 LLC 转换器
移动充电器和笔记本电脑适配器
PFC 应用（图腾柱和标准）
一般单 FET 开关或半桥对
