汽车级功率 MOSFET 高效、可靠，经过专门设计，可在最苛刻的应用中提供出色的性能。这些 N 沟道和 P 沟道功率 MOSFET 的电压范围为 40 V 至 100 V，已通过 AEC-Q101 认证，符合 PPAP 要求，并有着卓越信服的使用记录。通过利用两种创新的 MOSFET 技术（沟槽和分栅沟槽），这些产品提供了无与伦比的灵活性，具有广泛的优势。
MCC 的沟槽功率低压 (LV) MOSFET（即 MCG30N04HE3-TP 和 MCG35N04HE3-TP）具有低导通电阻和精确的场分布。更大的栅极表面确保了卓越的功率处理能力和优化的开关性能，使这些产品成为从 EPS 到照明等各种汽车系统的理想选择。
MCC 的分栅沟槽 (SGT) MOSFET，包括 MCG40N10YHE3-TP、MCAC80P06YHE3-TP 和 MCG15P10YHE3-TP，可提供低导通电阻、增强的电场分布控制，以及高开关应用中的卓越性能。SGT 设计特别适合汽车电源、DC/DC 转换器、其他关键汽车功能和工业用途中使用的高压设备。
这些产品采用 DFN3333 和 DFN5060 封装，提供卓越的散热性能，同时提供紧凑设计选项，以节省空间并降低总体 BOM 成本。
特性与优势
通过 AEC-Q101 标准鉴定
沟槽 MOSFET 和分栅沟槽 MOSFET 技术
低 RDS(ON) 将传导损耗降至最低
低电容可减少驱动器损耗
出色的散热封装
提供两种紧凑封装规格：DFN5060 和 DFN3333
无卤绿色器件
环氧树脂符合 UL 94 V-0 可燃性等级
无铅表面/符合 RoHS 规范
