MCBS220N04Y 和 MCBS260N10Y N 沟道功率 MOSFET 使工业设计实现了生产力和可持续性的完美结合。这些组件采用 TO-263-7 封装，提供 100 V 和 40 V 选项，旨在满足各种工业设备和系统的高温、高功率需求。
这些 MOSFET 具有纤薄外型、低于 2 mΩ RDS(on) 和分栅沟槽 (SGT) 技术，在高达 +175°C 的结温下提供可靠的性能。其他工程师友好型功能包括超过 200 A 的连续漏电流、出色的散热性、高电流密度和环保设计。这些工业级 MOSFET 利用高效的电源管理。
特性与优势
多种电压选择
100 V 和 40 V 电压选项
适用于宽范围的工业应用
提供灵活性和适应性
在恶劣条件下性能可靠
能够在高达 +175°C 的结温下工作
提供超过 200 A 的连续漏电流
确保在严苛环境下的可靠性能
增强的电源管理
采用 TO-263-7 封装的大电流 N 沟道 MOSFET
低于 2 mΩ RDS(on) 允许高效的电源管理，同时最大限度地减少功率损耗
最佳散热
旨在提供出色的散热和高电流密度
防止过热并确保长期可靠性
应用
工业自动化
能量转换系统
电源
电机驱动
