DDR3 可在需要高速外部存储器的各种应用中实现。DDR3/3L 接口得到大多数领先的片上系统 (SoC) 制造商的支持，例如 Ambarella、Analog Devices、Intel、Microsemi、NXP、TI、Renesas、STMicro 和 AMD。ISSI 提供从 1 Gb 到 16 Gb 的各种 DDR3 和 DDR3L DRAM。
DDR3/3L 还因其性能的进步和有用的功能而获得了巨大的吸引力。DDR3 的最大数据速率是 DDR2 的两倍多，但与 DDR2 相比，DDR3 的功耗更低。DDR3 还具有带动态控制和校准输出阻抗缓冲器的可调节片上端接 (ODT)。DDR3 支持 Fly-by 拓扑，允许在电路板上轻松放置多个 DRAM 模块，同时降低潜在的开关噪声。DDR3 可以置于 DLL 禁用模式，以便以低时钟频率访问内存以进行测试或调试，并添加复位输入以提高稳定性。
特性
电源电压为 1.5 V 或 1.35 V
提供的密度：1 Gb、2 Gb、4 Gb、8 Gb 和 16 Gb
提供的数据速率：1,600 Mbps 至 2,133 Mbps（向后兼容较慢的时钟频率）
双向差分数据选通
写入命令按字节进行数据屏蔽
可编程猝发长度：4 或 8
可编程 CAS 延时
自动刷新和自刷新模式
写入均衡
长期支持
封装：x16 为 96 焊球 BGA，x8 为 78 焊球 BGA
应用
电信/网络：
宽带网关
以太网交换机
企业接入点
汽车：
信息娱乐
远程信息处理
安全摄像头
驾驶员监视系统 (DM)
工业：
人机界面 (HMI)
嵌入式计算
工控
目标消费者：
摄像头
物联网设备
