STD80N450K6 超高压 N 沟道功率 MOSFET 采用终极 MDmesh K6 技术设计。其结果是单位面积和栅极电荷具有出色的导通电阻，适合需要卓越功率密度和高效率的应用。
特征
优异的 R DS(ON) × 面积
高功率密度
超低栅极电荷
100%_雪崩测试
齐纳保护
应用领域
LED照明
充电器
适配器
辅助电源
STD80N450K6 MOSFET
摘要
意法半导体的 N 沟道功率 MOSFET 采用 MDmesh K6 技术设计
深圳市鑫远鹏科技有限公司
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