STL120N10F8功率 MOSFET

STL120N10F8 是首款采用 STripFET F8 沟槽 MOSFET 技术制造的 100 V 器件，完全符合工业级要求。该 MOSFET 通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体漏二极管特性，节省了能源，并能确保电源转换和电机控制电路的低噪声。

特性

出色的体漏二极管柔软度

低输出电容和串联电阻

低栅漏电荷

紧密的栅极阈值电压分布

极高的电流能力

优点

低噪声

关断时漏源电压的低尖峰和短振荡时间

快速关断和低开关损耗

轻松并联

高短路稳健性