M9 技术受益于多漏极制造工艺，可增强器件结构。产品在所有硅基快速开关超级结功率 MOSFET 中具有较低的导通电阻或较低的栅极电荷值，因此特别适合需要卓越功率密度和出色效率的应用。
特性
目前市场上的最佳品质因数 (RDS(ON) x QG)
适用于 650 V 电压范围，提供目前业界最好的 RDS(ON)
极低的 Qg
更高的反向二极管 dv/dt 和 MOSFET dv/dt 耐用性
优点
更高的功率水平
更高的功率密度和更低的传导损耗
高效率和低开关功率损耗
高开关速度
为更紧凑的设计提高稳健性和可靠性
